穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析

• 作者: 俞箭飞 江五贵
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: TSV结构 低k材料 湿-热应力 有限元 铜互连
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 889-893
• 分类号: TN305.94|TN306
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.014

摘要

对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析.首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不同引起的湿应力,以及湿-热环境下的湿-热应力分布.结果表明:湿气会提高TSV结构界面处的等效应力,但湿气对铜线中的应力影响较小.湿-热应力集中主要出现在HSQ材料和与之相邻的硅上.与Si02基TSV结构相比,HSQ基TSV结构中铜线上的应力集中得到改善,但HSQ和硅界面上的应力集中有所增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江五贵	南昌航空大学航空制造工程学院	52	195	8.0	12.0
2	俞箭飞	南昌航空大学航空制造工程学院	1	7	1.0	1.0