Ti推出面向高密度开关电源设计的高速单通道栅极驱动器

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极驱动器 开关电源设计 单通道 高密度 TI MOSFET 宽带隙半导体 电源器件
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: I0005-I0006
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1

摘要

日前，德州仪器（TI）宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4A/8A与4A/4A单通道低侧栅极驱动哭，其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓（GaN）器件等宽带隙半导体的开关损耗。