纳电子学的发展

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳电子 CMOS 后CMOS 纳米 石墨烯 纳线FET
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 1-6
• 分类号: TN4
• 字数: 7655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.01.001

摘要

进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代.介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而下的方法,以CMOS技术为基础,不断改变栅结构,改变沟道材料,增强控制电子的能力；其二是自下而上的新思路,采用新的器件结构,向自组装发展.此外,还介绍了“后CMOS”器件的工作原理、当前的实验以及和MOSFET相关的性能和面临的挑战.并预计了纳电子未来发展的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0