衬底温度对Cu2O薄膜结构和性能的影响

• 作者: 严辉 张铭 李华 李朝荣 李英姿 王玫 董国波 黄安平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu2O薄膜 电导率 光学带隙 衬底温度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 457-460,467
• 分类号: O484
• 字数: 2727字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜.系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点.电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV.