Ge-Ⅲ亚稳相光学性质的第一性原理研究

• 作者: 于栋利 翟进辉
• 来源期刊: 燕山大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理计算 Ge-Ⅲ相 光学性质
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与化学工程
• 页码范围: 224-229
• 分类号: O472+.3|O472+.4
• 字数: 3507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-791X.2012.03.008

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Ge-Ⅲ亚稳相的电子结构和光学性质.Ge-Ⅲ相晶体是一种直接带隙半导体(带隙为0.46 eV).对光学函数的计算表明,Ge-Ⅲ相晶体是一种具有高介电常数和高折射率的晶体.其静介电常数ε1(0)和静态折射率n(0)分别为33.9和5.82,大于相应的Ge-Ⅰ相晶体的值(16和4.0).光子能量在2.38～14.9 eV(等离子体能量Ep)范围内,ε1(ω)＜0,整个晶体显示金属性；在高频透明区(能量大于Ep),ε1(ω)＞0,显示介电性.从光吸收谱上看,Ge-Ⅲ相晶体的主要光吸收区位于整个可见光及部分紫外光谱区,在能量为4.51 eV处达到最大值2.77×105 cm-1.Ge-Ⅲ相晶体的透过率在0～0.46 eV范围可达0.5,表明它可作为一种红外光学材料.在高能区(大于14.9 eV),反射率随能量的增加而骤减,透过率随能量的增加急剧增大,整个晶体表现出紫外透过的特征.能量损失谱上只有一个特征峰位于14.9 eV,对应于Ge-Ⅲ相晶体的等离子体能量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于栋利	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	23	79	5.0	7.0
5	翟进辉	燕山大学理学院	1	0	0.0	0.0