低温密闭消解-KIO3电位滴定法测定金合金中常量锗

• 作者: 刘文 吴喜龙 安中庆 朱利亚 李光俐 李勇 管有祥 谢宏潮 谭文进 贺小塘 韩守礼
• 来源期刊: 贵金属
• 学科: 化学
• 关键词: 分析化学 电位滴定 锗 金合金 低温 密闭分解 蒸馏
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 33-38
• 分类号: O655.2
• 字数: 4618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0676.2012.03.007

摘要

研究了低于GeCl4挥发温度密闭分解含锗的金合金的技术、KIO3电位滴定常量Ge的方法和提高方法选择性的条件；比较了电位与传统碘淀粉终点指示法对分析结果准确度、精密度,终点稳定性和敏锐度,方法选择性等的影响.结果表明:在优化条件下,控制消解温度不超过75℃时,9mL HCl -2 mL H2O2能完全消解0.10g样品,且无Ge的损失.经蒸馏分离收集锗,消除Au(Ⅲ)及常见共存离子的影响.电位终点指示法与传统碘淀粉终点指示法对锗滴定结果准确度基本一致,电位终点指示法实用性更强.方法用于AuGe12、AuGeNi12-2、AuAgGe18.8 -12.5、AuAgGeNi43.8 -6-0.2等系列金锗合金中6％～13％锗含量的测定,标准偏差和相对标准偏差分别为0.0214％～0.0450％和0.304％ ～0.391％,样品加标回收率99.11％ ～ 100.99％.