管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响

• 作者: 任现坤 刘鹏 姜言森 张春艳 张黎明 徐振华 程亮 贾河顺 马玉英
• 来源期刊: 山东科学
• 学科: 物理学
• 关键词: 折射率 致密性 转化效率 氮化硅 等离子增强型化学气相沉积(PECVD)
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 58-61,79
• 页数: 5页
• 分类号: O484.41
• 字数: 2022字
• 语种: 中文

摘要

折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标，是检验薄膜制备质量的重要参数，其变化直接影响太阳能电池的转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气配比等沉积条件对在太阳能电池上沉积的氮化硅薄膜折射率的影响，分析了氮化硅薄膜折射率随各沉积条件变化的原因。