带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源

• 作者: 刘云涛 邵雷 魏锡盟
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 温度系数 2阶补偿
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 38-41
• 分类号: TP335
• 字数: 1474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.01.010

摘要

基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源.在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的“饱和电流与过驱动电压成平方关系”产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿.具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点.仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860 μW,最低工作电压为1.24 V,在-50℃～125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘云涛	中国科学院微电子研究所	25	70	5.0	7.0
5	魏锡盟	中国科学院微电子研究所	1	6	1.0	1.0
6	邵雷	中国科学院微电子研究所	2	7	1.0	2.0