S-band low noise amplifier using 1μm InGaAs/InAIAs/InP pHEMT

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文献信息

篇名	S-band low noise amplifier using 1μm InGaAs/InAIAs/InP pHEMT
来源期刊	半导体学报	学科	工学
关键词
年，卷（期）	2012,（2）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	58-63
页数		分类号	TN386.6\|TN722.3
字数		语种	英文
DOI	10.1088/1674-4926/33/2/025001

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