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摘要:
设计了一种基于BiCMOS工艺、结构新颖的过温保护电路.对基准电流产生机理、芯片关断温度、芯片重新开启温度、温度滞回量和电路转换速度进行理论推导,给出了电路核心器件的参数设置.仿真结果显示,电路在127℃时关断芯片,116℃时重新开启芯片,温度滞回量为11℃,电路转换速度为26.2 V/℃,性能稳定、可靠.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种基于电流比较的新型过温保护电路
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 BiCMOS 过温保护电路 基准电流 温度滞回
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 58-62
页数 分类号 TN433
字数 2826字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.01.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张波 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 206 1313 17.0 26.0
2 明鑫 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 49 207 7.0 12.0
3 王会影 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 6 44 4.0 6.0
4 张雨河 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 3 25 3.0 3.0
5 蔡小祥 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 17 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
BiCMOS
过温保护电路
基准电流
温度滞回
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
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