4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长

• 作者: 刘忠良 唐军 康朝阳 徐彭寿
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅薄膜 同源分子束外延 碳化硅衬底
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 106-109,114
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 3406字
• 语种: 中文

摘要

以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	康朝阳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	13	59	5.0	7.0
3	刘忠良	淮北师范大学物理与电子信息学院	28	75	5.0	7.0
4	唐军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	19	349	7.0	18.0