Ta2O5电子结构和光学性质的第一性原理计算

• 作者: 包秀丽
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ta2O5 光学性质 电子结构 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 129-135
• 分类号: O561
• 字数: 2790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.01.023

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势方法,计算了Ta2O5的电子结构、态密度和和光学性质.能带结构计算表明,Ta2O5为间接带隙半导体,禁带宽度为2.51 eV;价带主要由O 2s和Ta 5d,以及Ta 5d,6s电子态构成,导带主要由Ta 5d和O 2p构成;静态介电常数ε1(0)=3.96;折射率n=2.0.并利用计算的能带结构和态密度分析了Ta2O5的介电常数、吸收系数、折射率、反射率、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Ta2O5的设计和应用提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	包秀丽	长江师范学院物理学与电子工程学院	18	29	4.0	5.0