快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响

• 作者: 后顺保 吕志军 梁继然 胡明 陈涛
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 二氧化钒 快速热处理 太赫兹调制 相变
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 157-162
• 页数: 6页
• 分类号: O484|O433
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201239.0107002

摘要

采用反应磁控溅射法制备二氧化钒( VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP).主要研究500℃快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化.在20℃～80℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性.结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上；THz波的透射率在半导体-金属相变前后的最大变化达到了57.9％.同时发现,热处理500℃,10 s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显.快速热处理时间的长短对热致相变温度点的影响较小,但热致电学相变和光学相变的相变温度点不同:光学相变的温度为60℃左右,电学相变温度则在56℃附近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明		139	1336	19.0	28.0
2	梁继然		31	108	6.0	8.0
3	后顺保		6	18	3.0	4.0
4	陈涛		45	397	10.0	19.0
5	吕志军		5	11	2.0	3.0