PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响

• 作者: 刘宗芳 刘素娟 封先锋 李科 杨明超 林生晃 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 数值模拟 缺陷 热应力
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 24-27
• 分类号: O78
• 字数: 2505字
• 语种: 中文

摘要

PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响.本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向温差最小,同时产生缺陷的切应力Τrz及引起开裂的径向正应力σrr值都为最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明		83	498	11.0	18.0
2	封先锋		22	106	7.0	9.0
3	杨明超		2	7	1.0	2.0
4	林生晃		4	10	2.0	3.0
5	李科		2	7	1.0	2.0
6	刘素娟		2	7	1.0	2.0
7	刘宗芳		1	6	1.0	1.0