用反应溅射法沉积SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性

• 作者: 周帆 张建华 张志林 李俊 蒋雪茵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜晶体管 稳定性 反应溅射SiOx
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1258-1263
• 页数: 6页
• 分类号: O472.4
• 字数: 1279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123311.1258

摘要

制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况.结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略.采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷.另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间.本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋雪茵	上海大学材料科学与工程学院	102	764	14.0	17.0
2	张志林	上海大学材料科学与工程学院	100	763	14.0	17.0
6	张建华	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
7	李俊	上海大学材料科学与工程学院	13	27	3.0	4.0
11	周帆	上海大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0