K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算

• 作者: 丰云 沈向前 王永远 谢泉 陈茜 高冉
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ca2Si 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 155-160
• 分类号: TG132.5
• 语种: 中文

摘要

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似（GGA）,对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	高冉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	11	2.0	3.0
3	沈向前	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	5	27	4.0	5.0
4	丰云	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	24	4.0	4.0
5	王永远	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	1	5	1.0	1.0