FDMA905P／FDME905PT：MOSFET

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET器件 飞兆半导体公司 设计人员 负载开关 散热性能 P沟道 小尺寸 手机
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 全球IC新品指南
• 页码范围: 35-35
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

飞兆半导体公司为手机和其他超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。