128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器

• 作者: 何力 周易 徐庆庆 徐志成 林春 许佳佳 金巨鹏 陈建新 陈洪雷 靳川
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 长波红外探测器 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 焦平面阵列
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 501-504
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN305
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2012.00501

摘要

报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40 μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100％截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109 cmHz1/2 W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.