基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究

• 作者: 乔忠良 周路 王云华 白端元 薄报学 贾宝山 高欣
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光器 非吸收窗口 无杂质空位诱导 灾变性光学损伤 量子阱混杂
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201239.0802001

摘要

为提高940 nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940 nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器.借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况.实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200 nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8 nm,而电子束蒸发法制备的200 nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3 nm.两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用.将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高1.6倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高欣		38	214	8.0	13.0
2	薄报学		44	252	9.0	14.0
3	王云华		7	39	4.0	6.0
4	周路		7	48	4.0	6.0
5	乔忠良		19	88	6.0	9.0
6	贾宝山		10	43	3.0	6.0
7	白端元		11	16	2.0	4.0