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Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET
Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET
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半导体学报(英文版)
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
语种：
eng
出版文献量（篇）
6983
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