磁控溅射Cu/Mo纳米多层膜的结构与性能

• 作者: 刘国涛 吴大平 孙勇 彭明军 段永华 郭中正
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Cu/Mo纳米多层膜 调制周期 屈服强度 显微硬度 电导率
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 92-97
• 分类号: TB43|TG146.4+11
• 字数: 3855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.01.016

摘要

用磁控溅射法在单晶硅和聚酰亚胺衬底上制备了恒定调制比(η=1)、调制周期λ=10～ 100 nm的Cu/Mo纳米多层膜,运用XRD,HRTEM,EDX,AFM,单轴拉伸系统、显微硬度仪和电阻仪对多层膜的微观结构、表面形貌和力学及电学性能进行了研究.结果表明,Cu/Mo多层膜中的Cu层和Mo层分别具有Cu( 111)和Mo(110)择优取向,Cu层呈柱状纳米晶、Mo层为极细纳米晶结构,Cu/Mo层间界面处存在一定厚度的扩散混合层.Cu/Mo多层膜的结构和性能受到调制周期和Cu层厚度的显著影响.在调制比η=1的条件下,随着调制周期的增加,软相Cu层厚度增大,Cu/Mo多层膜总体的屈服强度和显微硬度明显下降,裂纹萌生临界应变εc和电导率则显著上升.主要原因在于,随Cu层厚度的增加,Cu晶粒尺寸增大,Cu层内晶界密度降低,使Cu层的位错运动阻力减小、塑性变形能力增强,Cu层内电子散射效应减弱.同时当Cu/Mo多层膜总厚度恒定时,多层膜中Cu层和Mo层的层间界面数量亦随Cu层厚度的增加而减少,减弱了层间界面的电子散射效应,从而使多层膜电导率得以提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙勇	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	105	750	13.0	21.0
2	彭明军	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	32	155	8.0	10.0
3	段永华	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	34	131	7.0	9.0
4	郭中正	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	29	152	8.0	11.0
5	刘国涛	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	2	9	2.0	2.0
6	吴大平	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室	6	26	3.0	5.0