Geant4在中子辐射效应中的应用

• 作者: 刘岩 杨善潮 林东生 王园明 金晓明 陈伟 马强
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 中子辐射效应 电离能量沉积 非电离能量沉积 原子空位
• 年，卷（期）: 2012,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 607-610
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文

摘要

中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素.本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法.电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应.电离kerma因子的模拟结果定量解释了中子辐照在CMOS工艺单片机中引起的电离增强效应.通过原子空位密度计算了中子引入的附加陷阱密度,分析了位移损伤对电离效应的增强作用.实验和模拟结果表明,中子的电离能量沉积加剧了CMOS工艺单片机的退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	林东生		33	148	8.0	10.0
3	杨善潮		28	101	6.0	7.0
4	马强		10	26	3.0	4.0
5	金晓明		11	16	2.0	2.0
6	刘岩		10	36	3.0	5.0
7	王园明		10	51	4.0	7.0