复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件

• 作者: 卿朝进 李天倩 王军 蔡育 阳小明
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SOI-LDMOS功率器件 复合埋层 击穿电压
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3200字
• 语种: 中文

摘要

为了提高SOI-LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由p埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成.复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系,而且还缓解了自热效应.仿真结果表明,在漂移区长度为57 μm时,新结构耐压达到了1 052 V,与CamSemiSOI相当,而比导通电阻与表面最高温度分别比CamSemi SOI降低了233.05 Ω·mm2和64 K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李天倩	西华大学电气信息学院	22	22	2.0	3.0
2	阳小明	西华大学电气信息学院	24	39	3.0	5.0
3	蔡育		3	11	2.0	3.0
4	王军	西华大学电气信息学院	99	727	15.0	22.0
5	卿朝进	西华大学电气信息学院	23	67	4.0	8.0