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3 - 39 Damage to Epitaxial GaN Layer by 238U32＋-irradiation
3 - 39 Damage to Epitaxial GaN Layer by 238U32＋-irradiation
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摘要：
推荐文章
238U/235U裂变截面比与俘获裂变截面比测量分析
截面比
238U
235U
增殖
通过测量模拟样品中236U与238U原子个数比估算燃耗的探索研究
236 U与238 U原子个数比
燃耗
多接收电感耦合等离子质谱
用产额比测量235U/238U同位素丰度比
丰度比
产额比
235U
238U
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | 3 - 39 Damage to Epitaxial GaN Layer by 238U32＋-irradiation | ||
| 来源期刊 | 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | GAN N层 伤害 照射 电子器件 电磁辐射 空间技术 固态光源 | ||
| 年，卷（期） | 2012,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 130-131 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN304.23 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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GAN
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伤害
照射
电子器件
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期刊影响力
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版
主办单位：
Atomic
Energy
Physics
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
兰州市城关区南昌路509号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
4411
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1
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