柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性

• 作者: 方芳 方铉 李晓妮 李金华 楚学影 王晓华 陈新颖 魏志鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO ALD 生长温度 柔性衬底
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1232-1235
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123311.1232

摘要

以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响.用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性.实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善.当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019 cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金华	长春理工大学理学院	43	136	6.0	9.0
2	方铉	长春理工大学理学院	37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏	长春理工大学理学院	44	104	5.0	8.0
4	王晓华	长春理工大学理学院	54	156	7.0	9.0
5	方芳	长春理工大学理学院	11	63	4.0	7.0
6	楚学影	长春理工大学理学院	19	54	4.0	5.0
7	李晓妮	长春理工大学理学院	2	11	2.0	2.0
8	陈新颖	长春理工大学理学院	2	11	2.0	2.0