溅射气压对非晶Hg1-xCdxTe薄膜微观结构和化学组分的影响

• 作者: 姬荣斌 孔金丞 李雄军 杨丽丽 王光华 赵惠琼
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲镉汞薄膜 非晶半导体 微观结构 表面形貌 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1224-1231
• 页数: 8页
• 分类号: O472.8
• 字数: 2336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123311.1224

摘要

采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究.实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响.随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低.当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征；当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构.另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	李雄军		24	68	4.0	7.0
3	孔金丞		26	70	4.0	6.0
4	王光华		11	72	4.0	8.0
5	杨丽丽		8	40	4.0	6.0
6	赵惠琼		1	0	0.0	0.0