850nm垂直腔面发射激光器列阵

• 作者: 刘云 史晶晶 宁永强 张金龙 曹军胜 王立军 秦莉
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵 非闭合阵列结构 电流注入 封装
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 17-23
• 分类号: TN248.1
• 字数: 4480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20122001.0017

摘要

为了解决垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵中金丝难以键和和电流注入不均匀的问题,提出了一种非闭合型VCSEL列阵结构.该结构通过腐蚀非闭合环形凹槽形成器件台面,从而简化了工艺步骤,减少了器件的损伤.分别对2×2,3×3,4×4阵列的850 nm非闭合型顶发射VCSEL器件进行了测试和分析,结果显示其室温连续输出功率分别达到80,140和480 mW；阈值电流分别为0.15,0.25和0.4A；平行方向和垂直方向上的远场发散角分别为9°和9.64,13.5°和14.4°,15°和14.4°.在脉宽为50μs、重复频率为100 Hz时,最大输出功率分别为90,318和1 279 mW；阈值电流分别为0.2,0.5和0.7A.分别测试了芯片在封装前后的功率曲线,发现芯片在封装之后的热饱和电流要远远高于封装之前,从而说明良好的封装技术可以提高器件的散热效率,降低器件内部发热对器件性能的影响.