高速高效光电探测器的制备、测试及特性分析

• 作者: 刘宇 刘少卿 杨晓红 王杰 王秀平 韩勤
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学器件 pin探测器 InGaAs 高速 高效
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 光学器件
• 页码范围: 138-141
• 页数: 4页
• 分类号: O475
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/LOP49.022301

摘要

报道了一种垂直入射的InP基InGaAs pin光电探测器,介绍了它的制备和测试方法并对器件所展示出的高效,高速,高线性度特性进行了分析.器件的暗电流密度在0和-5V偏压时分别为1.37×10-5 A/cm2和93×10-5 A/cm2；在1.55 μm波长,-3V偏压下,器件的线性光响应高达28 mW,相应的最大线性电流为17 mA,响应度达到0.61 A/W(无减反射膜)；在-5V偏压下,器件获得高达17.5 GHz的3 dB带宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宇	中国科学院半导体研究所	202	1899	22.0	36.0
2	韩勤	中国科学院半导体研究所	24	164	7.0	12.0
3	杨晓红	中国科学院半导体研究所	33	182	8.0	12.0
4	王杰	中国科学院半导体研究所	94	992	20.0	27.0
5	王秀平	中国科学院半导体研究所	3	5	1.0	2.0
6	刘少卿	中国科学院半导体研究所	2	5	1.0	2.0