高密度诱导耦合等离子制备P型ZnO半导体薄膜

• 作者: 戴振宏 隋鹏飞 黄士勇
• 来源期刊: 曲阜师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学汽相沉积 纳米结构 氯化锌半导体
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 68-70
• 分类号: O471
• 字数: 2204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5337.2012.01.015

摘要

利用一种定制设计的诱导耦合等离子体辅助射频(RF)磁控溅射沉积技术,在玻璃衬底上制备了N掺杂的P型氧化锌( ZnO:N)薄膜体系,并使用了反应Ar+N2混合气体烧结的ZnO靶材.在不同技术条件下制备了不同表面平整度的薄膜体系,并利用扫描隧道显微技术( SEM)和X射线衍射仪(XRD)来分析样品表面,发现了ZnO薄膜颗粒化结晶沿着(002)晶向纵向柱型结构生长.实验结果表明,P型ZnO薄膜的成功制备归因于生长过程中的高密度诱导耦合等离子体源的高分离性和有效的等离子体—表面相互作用机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隋鹏飞	烟台大学光电信息科学技术学院	13	63	3.0	7.0
2	戴振宏	烟台大学光电信息科学技术学院	37	132	7.0	10.0
3	黄士勇	新加坡南洋理工大学等离子体源和应用中心	1	0	0.0	0.0