基于CMOS工艺平台反熔丝FPGA实现

• 作者: 李天阳 石乔林 陶伟
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 反熔丝单元 FPGA 熔断电阻 反熔丝阵列设计
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 23-25
• 分类号: TN402
• 字数: 1229字
• 语种: 中文

摘要

由于反熔丝FPGA具有低功耗、高密度、可靠性高、抗辐射能力强以及设计上具有灵活性等优势,在军事和卫星领域得到广泛的应用.但由于工艺的限制,目前国内未见相关研究的报道.根据目前现状,利用现有的工艺,开发出一种可以与普通CMOS工艺兼容的反熔丝单元.经过测试,其熔断后的电阻约为330?~400?,同时给出了基于此种反熔丝单元的阵列设计,体现了低功耗、高密度、易实现等优势.此设计不但满足了目前的工作需要,并为以后反熔丝电路的设计提供了有用的参考,为航天和军事领域的应用提供了有力的支持和保障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶伟		3	5	1.0	2.0
2	李天阳		11	29	4.0	4.0
3	石乔林		6	14	3.0	3.0