P型4H-SiC少数载流子寿命的研究

• 作者: 陆绮荣 韦艳冰 高冬美 黄彬
• 来源期刊: 中国测试
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 少子寿命 微波光电导衰减 高温退火 LabVIEW 系统
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 物理测试
• 页码范围: 19-21
• 分类号: O472|TM930.114
• 字数: 1822字
• 语种: 中文

摘要

为了更好地了解P型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,利用激光和微波技术作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,详细描述了该测试方法和实验装置,讨论了高温退火前后晶片中少数载流子寿命的变化,并用LabVIEW对测试数据进行了拟合.结果表明:高温退火能提高载流子寿命,并且实验数据与拟合结果较符合.说明了微波光电导衰减法(μ-PCD)是一种测试少子寿命的快速、有效方法,对研究半导体材料性能具有重要意义；同时,研究高温退火条件下少子寿命的变化,对提高其材料的电性能也具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高冬美	桂林理工大学机械与控制工程学院	4	10	2.0	3.0
2	陆绮荣	桂林理工大学现代教育技术中心	19	89	5.0	8.0
3	韦艳冰	桂林理工大学机械与控制工程学院	4	10	2.0	3.0
4	黄彬	桂林理工大学机械与控制工程学院	6	11	2.0	3.0