热解温度对聚碳硅烷转化SiC陶瓷结构及介电性能的影响

• 作者: 丁冬海 周万城 周璇 朱冬梅 罗发
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: SiC陶瓷 聚碳硅烷转化SiC 介电性能 热解温度 自由碳 复介电常数
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 页码范围: 2726-2729
• 页数: 4页
• 字数: 1128字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(11)61524-0

摘要

采用真空高温裂解聚碳硅烷法制β-SiC陶瓷粉末,并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征.通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2～18 GHz下的复介电常数来研究其介电性能.结果表明:复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大.高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱冬梅	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	131	940	15.0	22.0
2	罗发	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	168	1535	19.0	30.0
3	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
4	丁冬海	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	31	98	6.0	8.0
6	周璇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	5	41	4.0	5.0