S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术研究

• 作者: 付兴昌 冯志红 李亮 李佳 杨克武 蔡树军 默江辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅金属半导体场效应晶体管 内匹配 大功率 高增益 3 dB 电桥
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 764-767
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.10.005

摘要

优化了芯片版图结构,采用常规工艺制作了SiC MESFET大栅宽芯片.优化了管壳内芯片装配形式,采用电容及电感匹配网络提高了器件阻抗,提高了器件增益.设计并优化了3 dB电桥输入及输出匹配电路,保证了器件最大功率输出及工作稳定性.最终采用管壳内四胞合成及外电路3 dB电桥合成的方法,突破了S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术,实现了器件脉冲输出功率达百瓦量级.四胞26 mm大栅宽芯片合成封装后的器件,在测试频率2 GHz、工作电压VDS为56 V、脉宽为50 μs、占空比为1.5％工作时,脉冲输出功率为300.3 W,增益为9.2 dB,漏极效率为36.6％,功率附加效率为32.2％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
2	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
3	李佳	中国电子科技集团公司第十三研究所	33	57	4.0	6.0
4	蔡树军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	45	3.0	6.0
5	冯志红	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	19	3.0	4.0
6	李亮		5	4	1.0	2.0
7	默江辉		6	8	2.0	2.0