基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术

• 作者: 孟茜倩 程加力 高建军
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS器件 MOSFET模型 参数提取与模型仿真 MESFET模型 直流模型
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 263-266
• 分类号: TN386
• 字数: 2277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.03.004

摘要

常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型.尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性.进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	华东师范大学信息科学技术学院	24	42	3.0	5.0
2	程加力	华东师范大学信息科学技术学院	2	7	2.0	2.0
3	孟茜倩	华东师范大学信息科学技术学院	1	4	1.0	1.0