高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料

• 作者: 刘达艺 康俊勇 张彬彬 李书平 李金钗 蔡端俊 陈航洋
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN 量子阱 欧姆接触 紫外LED
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 17-21
• 分类号: O472
• 字数: 3010字
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片.并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法,获得了良好的欧姆接触电极,进一步将外延片制备成LED管芯.通过对量子结构有源层量子阱混晶组分的设计和调整,掌握并实现了主波长260～330 nm紫外LED结构材料的制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李书平	厦门大学物理与机电工程学院	23	51	3.0	5.0
2	康俊勇	厦门大学物理与机电工程学院	29	84	5.0	8.0
3	蔡端俊	厦门大学物理与机电工程学院	5	21	3.0	4.0
4	李金钗	厦门大学物理与机电工程学院	4	8	2.0	2.0
5	陈航洋	厦门大学物理与机电工程学院	2	7	1.0	2.0
6	张彬彬	厦门大学物理与机电工程学院	2	39	2.0	2.0
7	刘达艺	厦门大学物理与机电工程学院	1	6	1.0	1.0