射频磁控溅射制备氧化钒薄膜的研究

• 作者: 蔡长龙 马卫红
• 来源期刊: 应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 氧化钒(VOx)薄膜 电阻温度系数(TCR)
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 光学器件与制造
• 页码范围: 159-163
• 分类号: TN305.8|O484
• 字数: 4708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.5768/JAO201233.0105002

摘要

氧化钒(VOx)薄膜是一种广泛应用于红外热成像探测的薄膜材料,研究VOx薄膜的制备工艺、获取高电阻温度系数(TCR)的VOx薄膜具有重要意义.以高纯金属钒作靶材,采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了VOx薄膜.主要研究了氩氧流量比以及功率等工艺参数对薄膜TCR的影响,获得了较好的工艺参数.采用万用表和X射线光电子能谱仪(XPS)分别测试了不同条件下射频磁控溅射法制备的VOx薄膜的电阻特性和薄膜成分,测试结果表明,采用所获得的较好工艺参数制备的VOx薄膜TCR值大于1.8％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡长龙	西安工业大学光电工程学院	82	319	8.0	14.0
2	马卫红	西安工业大学光电工程学院	40	311	10.0	16.0