不同光刻胶作保护层对a-IGZO TFT性能的影响

• 作者: 向桂华 孙庆华 张耿 王娟 蔡君蕊 赵伟明
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: a-IGZO薄膜晶体管 光刻胶 保护层 SU-8 稳定性
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 383-386
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.04.004

摘要

采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层,并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层,探讨不同保护层对器件电学特性的影响.经考察发现:采用光刻胶作为保护层时,保护层制作后短期内可维持器件的电学特性基本不变；但涂胶后暴露在空气中一定时间后,器件的电学特性开始衰退,尤其是阈值电压变化较明显,器件工作模式由增强型变为耗尽型,并推断光刻胶中溶剂接触到背沟道中IGZO,其化学反应导致沟道中氧脱附,载流子浓度增加.实验还发现:使用SU-8负性光刻胶作为保护层的器件,其电学特性衰退较小,在空气中放置一段时间后表现最稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张耿	中山大学理工学院	3	13	2.0	3.0
5	王娟		2	5	2.0	2.0
6	向桂华		2	5	2.0	2.0
7	蔡君蕊		2	5	2.0	2.0
8	孙庆华		2	5	2.0	2.0