高温处理对PCS裂解SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料性能的影响

• 作者: 崔红 张强 杨星 赵景鹏 闫联生
• 来源期刊: 固体火箭技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 高温处理 SiC基体 微晶形态 C/C-SiC材料 力学性能 抗氧化性能
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 结构、材料与工艺
• 页码范围: 127-132
• 分类号: V259
• 字数: 3488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2793.2012.01.025

摘要

采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响.结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC.温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓；SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加.处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降.1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂.C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由“尖笋状”成为“梭形”.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔红		106	692	14.0	19.0
2	闫联生		43	274	10.0	15.0
3	张强		27	147	8.0	11.0
4	杨星		15	139	7.0	11.0
5	赵景鹏		5	41	4.0	5.0