镀镍硅基底上利用化学池沉积法制备二硫化钼膜

• 作者: 巩晓阳 李立本 杜凯 杨海滨 陈庆东 魏荣慧
• 来源期刊: 河南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 化学池沉积 MoS2膜 Si基底 镍
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 现代物理与材料科学
• 页码范围: 699-702
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2614字
• 语种: 中文

摘要

利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为:钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃.此时,得到具有六角晶形的Ⅱ型膜,MoS2膜晶体尺寸约200 nm.没有Ni诱导层的MoS2膜结晶很差,无确定取向.相同条件下,以Ni为诱导层的样品为具有沿[002]取向的Ⅱ型MoS2膜,并且具有较好的六角晶形,说明Ni诱导层对于得到Ⅱ型MoS2膜的重要性.Ni诱导层的影响归于液态S-Ni相的形成并提供的沿[002]方向的生长动力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜凯	河南科技大学物理与工程学院	13	23	3.0	3.0
2	魏荣慧	河南科技大学物理与工程学院	16	44	4.0	5.0
3	杨海滨	吉林大学超硬材料国家重点实验室	51	376	9.0	16.0
4	李立本	河南科技大学物理与工程学院	59	111	6.0	8.0
5	陈庆东	河南科技大学物理与工程学院	42	156	7.0	11.0
6	巩晓阳	河南科技大学物理与工程学院	33	284	6.0	16.0