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摘要:
研究了基于ARM和FPGA的数字式超声波探伤电路系统,运用MOSFET开关I/V特性推导出阈值电压和漏极电流公式,推导了电容充放电时间以及运用极限法来分析发射电路中电容电阻因素.并对发射电路进行仿真设计及分析,实现了FPGA对发射电路的控制.最后从超声波探伤实用性角度分析了发射电路参数对探伤系统性能的影响.研究结论表明,MOFSET开关和电容充放电中电压、电阻、电容等影响发射电路性能的因素合理取值提高了超声波探伤系统的能力.
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文献信息
篇名 超声波探伤发射电路及参数分析
来源期刊 仪表技术与传感器 学科 工学
关键词 超声波探伤 发射电路 MOSFET开关 脉冲
年,卷(期) 2012,(9) 所属期刊栏目 传器仪表
研究方向 页码范围 30-32
页数 3页 分类号 TH-3
字数 2510字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张晓青 72 119 5.0 8.0
2 王晓蕊 1 19 1.0 1.0
6 贾三山 1 19 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
超声波探伤
发射电路
MOSFET开关
脉冲
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
仪表技术与传感器
月刊
1002-1841
21-1154/TH
大16开
沈阳市大东区北海街242号
8-69
1964
chi
出版文献量(篇)
7929
总下载数(次)
16
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