基于迟滞比较器的过热保护电路设计

• 作者: 吴春瑜 温绍琨 王绩伟 苏长江
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 迟滞比较器 过热保护 翻转 热振荡
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 670-673
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.09.002

摘要

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路.由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好.利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7V时,过温保护阚值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制.当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作；温度降低至90℃时,芯片恢复工作.此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴春瑜	辽宁大学物理学院	56	150	6.0	9.0
3	王绩伟	辽宁大学物理学院	14	27	4.0	4.0
5	苏长江	辽宁大学物理学院	1	4	1.0	1.0
13	温绍琨	辽宁大学物理学院	1	4	1.0	1.0