一种新的RF预失真方案的设计与仿真

• 作者: 柯友艺 欧阳军 陈大灿 陈红霞 马中华
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 峰均比 预失真 互调失真 记忆效应
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 179-184
• 分类号: TN830.6
• 字数: 4002字
• 语种: 中文

摘要

根据预失真原理,利用对消的方法,提出一种改进的预失真电路的方案,设计了分别产生三阶和五阶互调分量预失真器电路.最后以Polyfet公司的有记忆效应的功放管设计的功率放大电路为例,分析比较了未加预失真电路的功放性能和加了预失真电路的功放性能,测试结果表明失真分量有了很大的改善,三阶互调系数(IMD3)改善了20.5 dB,五阶互调系数(IMD5)改善了3.8 dB.IMD3比传统的方案提高了3.2 dB,IMD5比传统的方案提高了5.8 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马中华	集美大学信息工程学院	31	95	6.0	8.0
2	陈红霞	集美大学信息工程学院	4	22	3.0	4.0
3	欧阳军	集美大学航海学院	5	15	2.0	3.0
4	柯友艺	集美大学信息工程学院	1	5	1.0	1.0
5	陈大灿	集美大学信息工程学院	1	5	1.0	1.0