二次电子发射对稳态等离子体推进器加速通道鞘层的影响

• 作者: 张天平 李娟 田立成 石红
• 来源期刊: 固体火箭技术
• 学科: 工学
• 关键词: 稳态等离子体推进器 加速通道 二次电子发射 等离子体鞘层
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 发动机
• 页码范围: 193-197
• 分类号: V439+.2|TP391.9
• 字数: 4047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2793.2012.02.011

摘要

稳态等离子体推进器( Stationary Plasma Thruster,SPT)工作时产生的高密度等离子体遇到其加速通道陶瓷器壁时,在陶瓷器壁与等离子体之间形成鞘层.离子会在鞘层电场作用下到达SPT加速通道器壁表面进而复合,而等离子体中的电子由于具有高能可跃过鞘层电场轰击器壁表面,从而产生二次电子发射效应.从器壁表面发射出的二次电子由于受到鞘层电场的排斥,导致其向等离子体源区移动,进而影响等离子体鞘层的特性.建立了考虑二次电子发射效应的无碰撞等离子体鞘层的一维流体模型,研究了二次电子发射对SPT加速通道鞘层特性的影响.计算结果显示,随二次电子发射系数增加,鞘层电势、离子密度、电子密度和二次电子密度增加,而离子速度降低,鞘层中离子密度始终大于电子密度.鞘层中二次电子绝大多数集中在器壁附近,随二次电子穿越鞘层厚度的增加,二次电子密度快速下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张天平	兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室	103	412	10.0	15.0
2	石红	兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室	10	52	5.0	7.0
3	田立成	兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室	20	98	7.0	9.0
4	李娟	兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室	16	82	6.0	8.0