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MOS Capacitance-Voltage Characteristics:V.Methods to Enhance the Trapping Capacitance
MOS Capacitance-Voltage Characteristics:V.Methods to Enhance the Trapping Capacitance
作者:
揭斌斌
薩支唐
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篇名
MOS Capacitance-Voltage Characteristics:V.Methods to Enhance the Trapping Capacitance
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
年,卷(期)
2012,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1-9
页数
分类号
TN386.1|TM53
字数
语种
英文
DOI
10.1088/1674-4926/33/2/021001
五维指标
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引文网络
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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