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文献信息
篇名 MOS Capacitance-Voltage Characteristics:V.Methods to Enhance the Trapping Capacitance
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-9
页数 分类号 TN386.1|TM53
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-4926/33/2/021001
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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