量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响

• 作者: 宋晶晶 张运炎 范广涵 赵芳 郑树文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱数量 数值模拟 InGaN/AlGaN发光二极管 大功率
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1368-1372
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 2472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123312.1368

摘要

采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响.分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系.量子阱个数太少时,电流溢出现象较明显；而当量子阱个数太多时,极化现象明显,且会造成材料浪费.因此应根据工作电流选择合适的量子阱个数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
3	赵芳	华南师范大学光电子材料与技术研究所	9	32	4.0	5.0
4	张运炎	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	34	4.0	5.0
5	宋晶晶	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	17	2.0	4.0