基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计

• 作者: 张瑛 徐建 王志功
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: 分布式放大器 人工传输线 异质结晶体管 超宽带(UWB) 砷化镓(GaAs)
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 1064-1069
• 页数: 6页
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2012.10.010

摘要

为满足电子系统对放大器的带宽性能要求,基于2μm砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种新的分布式放大器.设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构,有效提升了放大器的频率性能.测试结果显示,该放大器的3dB带宽达到14GHz,在1.2GHz～10.5GHz频率范围内增益为6.6dB,带内增益平坦度为±0.5dB,输入回波损耗小于-14dB,输出回波损耗小于-8.8dB,表现出了高增益和大带宽的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	张瑛	东南大学射频与光电集成电路研究所	15	133	6.0	11.0
6	徐建	东南大学射频与光电集成电路研究所	29	174	6.0	12.0