一种与CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

• 作者: 夏燕 明安杰 欧文 袁烽 赵利俊 闫建华
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS兼容性 热电堆 红外 MEMS 黑硅
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 89-94
• 分类号: TN215
• 字数: 3644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.02.006

摘要

报道了一种与CMOS工艺兼容的微机械热电堆红外探测器.提出了具有一对热电偶的两层悬浮结构,其占空因子达到80％以上,并采用P/N多晶硅作为热电偶材料,黑硅作为吸收层材料.给出了器件的工作原理,对性能优化与制作的工艺流程进行了分析,结合所选材料的基本参数,得到了优化后的结构尺寸.通过理论计算,可以获得响应率大于1000 V/W,探测率大于1×108 cmHz1/2W-1,时间常数小于40 ms,噪声等效温差小于30 mK的性能优良的热电堆红外探测器.该器件的吸收层位于结构中的顶层,金属布线位于底层,便于与后续电路集成.单元大小为25 μm×25 μm,有利于制作非制冷红外焦平面阵列.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧文	中国科学院微电子研究所	27	81	6.0	7.0
2	明安杰	中国科学院微电子研究所	7	63	4.0	7.0
3	夏燕	中北大学电子测试国家重点实验室	3	16	3.0	3.0
4	赵利俊	中国科学院微电子研究所	3	16	3.0	3.0
5	闫建华	中国科学院微电子研究所	1	8	1.0	1.0
6	袁烽	中国科学院微电子研究所	1	8	1.0	1.0