氧化锆中嵌入过渡态原子:键合,磁性和掺杂态

• 作者: 胡悦高
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 化学
• 关键词: 陶瓷 电子器件 光化学 DFT计算
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 22-24
• 分类号: O614.412
• 字数: 2159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2872.2012.05.005

摘要

通过密度泛函理论(DFT)计算了V、Cr、Mn、Nb、Mo、Tc、W和Re原子掺杂于ZrO2中,掺杂离子与基体的键合能,以及引起的磁性和掺杂态.晶格中掺杂原子与基体的键合与掺杂体的原子尺寸有关.导电载流子的100％极化意味着V、Mn、Nb、Tc和Re元素能够在非磁性氧化锆材料中有效引入自旋极化载流子从而作为室温单自旋注入材料.掺杂体在基体材料禁带中引入的局域态可导致材料光吸收边界的红移,从而加强氧化锆材料的光催化性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡悦高		1	0	0.0	0.0