机械致单轴应变SOI晶圆的制备

• 作者: 张鹤鸣 戴显英 杨程 王琳 郑若川 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上硅 单轴应变 机械弯曲 弹塑性力学
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 209-212
• 分类号: TN304
• 字数: 5220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2012.03.034

摘要

提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅(SOI)的新方法,并阐述了其工艺原理.将直径为100 mm (4英寸)的SOI晶圆片在曲率半径为0.75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲,弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20 h的热退火处理.对弯曲退火后SOI晶圆片进行了拉曼光谱表征,其拉曼频移为520.3cm-1,小于体硅的典型值,拉曼频移差达到-0.3 cm-1,说明弯曲退火后的SOI晶圆片发生了单轴张应变.相应的应变量计算为0.077％,高于文献报道的0.059％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	郝跃		312	1866	17.0	25.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	王琳	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	124	7.0	10.0
5	杨程	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	15	3.0	3.0
6	郑若川	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	11	2.0	2.0