黑硅材料的制备及其光学特性

• 作者: 何静 刘邦武 夏洋 李超波 邵长金
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: 黑硅 微观结构 反射率 红外光谱 光致发光光谱
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1357-1361
• 页数: 5页
• 分类号: O641|O443
• 字数: 2933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123312.1357

摘要

采用金催化化学腐蚀和钝化两个过程成功制备了黑硅.利用原子力显微镜、分光光度计、红外光谱仪和光致发光光谱仪分别对黑硅的微观结构、反射率、表面状态和发光性能进行了研究.结果表明:黑硅表面呈现山峰状的微观结构,其平均反射率可低至3.31％.光致发光光谱上出现了3个发光峰,分别由量子限制效应、硅氧烯、杂质和缺陷引起.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0
2	何静		34	559	10.0	23.0
4	李超波	中国科学院微电子研究所	31	120	7.0	9.0
5	邵长金		25	160	7.0	11.0
8	刘邦武	中国科学院微电子研究所	17	96	6.0	8.0